PN结中高掺杂浓度，耗尽层宽度变窄原因
耗尽层宽度取决于杂质离子的浓度；
在掺杂半导体中，多数载流子由杂质离子提供，少数载流子由本征激发（形成电子空穴对），故而，在高掺杂浓度下，多数载流子的扩散运动大于PN结内建电场形成的少数载流子的漂移运动，同时削弱了内建电场，即耗尽层宽度变窄，此时整个运动过程即是半导体正向导通的状态。
本征激发是共价键中的电子在温度升高或者受到光照时，挣脱原子核的束缚，成为自由电子的过程；
PN结（空间电荷区/耗尽层/阻挡层）
P区（positive正极）->多数载流子为空穴，本征激发产生电子空穴对，少数载流子为自由电子；
N区（negative负极）->多数载流子为自由电子；
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