IPI030N10N3G 英飞凌 100V OptiMOS

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

指标参数

Parametrics	IPI030N10N3 G
Budgetary Price €/1k	1.84
Ciss	11100.0 pF
Coss	1940.0 pF
ID (@25°C) max	100.0 A
IDpuls max	400.0 A
Operating Temperature min max	-55.0 °C 175.0 °C
Ptot max	300.0 W
Package	I2PAK (TO-262)
Polarity	N
QG (typ @10V)	155.0 nC
RDS (on) (@10V) max	3.0 mΩ
Rth	0.5 K/W
VDS max	100.0 V
VGS(th) min max	2.7 V 2.0 V 3.5 V

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