学习笔记

1、FLASH存储器简介

ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash 技术，64K用户区间，支持 IAP/ISP Flash 擦写技术。MCU Flash 采用 32 位数据总线读写，充分利用 32 位 ARM CPU 性能优势，同时它的 512 字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。Flash 存储器支持的操作如下:

读操作：

ARM CPU 可以通过读指令直接从嵌入式 Flash 读取数据，最高支持达 30MHz 的读取速度。当 CPU 时钟超过 Flash 的最大读取速度时，需要插入延迟时钟，延迟时钟由 RDCYC 寄存器控制。

FLASH 擦写操作：

Flash 擦写采用扇区擦除，字(WORD)写入模式，并通过一寄存器组实现。擦写地址必须是 32 位对齐。擦除扇区流程如下:

①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

②、发FLASH扇区擦除指令0x04。

③、判断FLASH是否处于忙状态，不处于忙状态则流程结束。

字(WORD)编程的流程如下：

①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

②、向数据寄存器写入要编程的数据。

③、发FLASH扇区擦除指令0x02。

④、判断FLASH是否处于忙状态，不处于忙状态则流程结束。

这里要注意的是如果要编程数据，一定要先进行擦除步骤，然后再向FLASH进行编程操作。否则直接执行编程流程是无效的。

2、FLASH寄存器

ME32F030的FLASH造作十分简便。相对应的寄存器也较少。

图1 FLASH寄存器列表

2-1 FLASH操作命令寄存器

该寄存器用来发 Flash 操作命令和读 Flash 状态。

图2 FLASH操作命令寄存器

2-2 FLASH操作编程数据寄存器

该寄存器用于存储对 Flash 编程的数据，这里有一点需要注意的要求，就是该数据必须在 Flash 操作命令发出之前准备好。并且编写的数据是32位对齐的。

图3 FALSH操作编程数据寄存器

2-3 FLASH操作地址寄存器

该寄存器存储 Flash 操作地址。

图4 FALSH操作地址寄存器

2-4 FLASH访问周期寄存器

根据系统时钟频率不同，Flash 访问速度可以配置 FLASH_RDCYC 寄存器来实现(该功能目前禁止使用)。

3、FLASH操作函数

3-1 FLASH擦除函数

该函数用于擦除指定地址段所在扇区的FLASH数据，从起始地址startaddr所在扇区开始擦除，直到结束地址endaddr所在扇区。

void EraseMCUDataMemory(uint32_t startaddr, uint32_t endaddr){//判断是否到达结束地址while(startaddrADDR = startaddr;  //FLASH擦除指令FMC->CMD = 0x04;  //等待FLASH完成操作while ((FMC->CMD & 0x100)!=0);//地址偏移，开始下个地址的擦除startaddr+=512;   }}

3-2 FLASH数据编程

这个函数用于向指定的地址，写入指定长度的数据。

Dataadd：要写入的地址Size：要写入的数据长度Suradd：要写入的数据内容void SaveDatatoMCU(uint32_t dataadd, uint32_t size, uint32_t suradd){uint32_t n,temp0,temp1,temp2,*dataptr;temp1=size>>2;temp2=dataadd;dataptr=(uint32_t *)suradd;for (n=0;nADDR = temp2;      //写入编程数据FMC->DATA = *dataptr++;   //FLASH编程指令FMC->CMD = 0x02;     //等待FLASH完成操作while ((FMC->CMD & 0x100)!=0);   //地址偏移，开始下个地址的编程temp2 +=4;            }}

3-3 FLASH读取数据

这个函数用于从指定的地址，读出指定长度的数据。

Dataadd：要读取的地址Size：要读取的数据长度Suradd：要读取的数据内容void ReadDataFromMCU(uint32_t dataadd, uint32_t size, uint32_t* suradd){uint32_t n,temp1,*dataptr;uint32_t a = 0;temp1=size>>2;dataptr=(uint32_t *)suradd;for (n=0;n

4、FLASH例程

接下来做个小实验来测试下FLASH的擦写和数据编程，我们向0x0000FC80地址写入一组数据，随后读出校验是否正确编程FLASH。

int main(void){uint32_t WriteData[4] = {0x12121212,0x34343434,0x56565656,0x78787878};uint32_t ReadData[4]  = {0x00000000,0x00000000,0x00000000,0x00000000};uint32_t DataAddr = 0x0000FC80;uint32_t EndAddr = 0x0000FFFF;WDT->MOD=0;PB_9_INIT(PB_9_GPIO);GPIO_ConfigPinsAsOutput(PB, IO_PIN9); //擦除FLASHEraseMCUDataMemory(DataAddr,EndAddr);//向Data Addr写入数据WriteDataSaveDatatoMCU(DataAddr, 16, WriteData);//读出的数据存放到ReadData ReadDataFromMCU(DataAddr, 16, ReadData);while (1){PB->NOT_b.NOT9=1;//小灯闪烁，提示程序运行SYS_DelaymS(500);}}

程序编译无误后，便可以下载仿真测试。首先在如图所示的位置打上断点，然后全速运行。

图5 实例运行1

运行到断点处后，我们把WriteData和ReadData添加的WATCH1中观察下，结果如图所示，此时ReadData的数据全部都是0x000000000，与写入的数据不一致，这是因为还没有开始从FLASH中读取。接下来按快捷键F10单步执行下读取FLASH函数。

图6 实例运行2

单步执行后的效果如图所示，这时候数据已经从FLASH中读取出来并存放到ReadData中，此时的数据已经和写入的WriteData一致了。

图7 实例运行3