DDR3L和LPDDR3区别

DDR3L全称“DDR3 Low Voltage”(低电压版DDR3)，将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V，并保持功能上的全面兼容，在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15％或者更多，而相比于1.8V DDR2更是可以节能40％。
Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。电压1.2V。
第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范于2012年5月由JEDEC固态技术协会正式发布。
LPDDR3也一样支持PoP堆叠封装和独立封装，以满足不同类型移动设备的需要。
除此之外，LPDDR3重点加入了新技术：
- Write-Leveling and CA Training(写入均衡与指令地址调驯)：可让内存控制器补偿信号偏差，确保内存运行于业内最快输入总线速度的同时，维持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求。
- On Die Termination(片内终结器/ODT)：可选技术，为LPDDR3数据平面增加一个轻量级终结器，改进高速信号传输，并尽可能降低对功耗、系统操作和针脚计数的影响。

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