N型半导体

N型半导体是添加+5价的P元素，参一个P原子就多一个自由电子，多子是自由电子，少子是空穴。在N型半导体中多子是自由电子，带负电，这是N型半导体的由来：negative

P型半导体

P型半导体参入+3价的B元素，每参一个B就多一个空穴，空穴就成多数载流子，自由电子成了少子，所以叫P型半导体，positive

PN结

右侧的正离子是P离子，带一个自由电子。左侧的负离子是B离子，带一个空穴。图中只画了多子，没有画少子在p区多子是空穴，少子是自由电子，N区正好相反。
PN结的形成：

P区和N区由于多子和少子的浓度不同，会发生扩散运动，P区的空穴扩散到N区和自由电子中和。在N区的自由电子同理，由于存在从右向左的电场，又会阻止扩散运动。当电场强度能够恰好阻碍离子扩散时，扩散停止，形成空间电荷区（也叫耗尽层、PN结）。
两边都会存在少子，而少子是顺电场运动的，成为少子的漂移，最终和多子的扩散达到动态平衡。

PN结的特点

单项导电性
如果我给PN结加正向电压，由上图可知，外电场会削弱内电场，导致扩散运动再次增强，变成导体，从而导通
如果给PN结加反向电压，PN结的空间电荷区增大，不会导通。

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