WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM

WPM2341
P通道增强模式Mosfet

特征

更高的效率延长电池寿命
微型SOT23-3表面贴装封装
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

应用

FAE:13723714318
负载开关
DC / DC转换器
电池供电系统
液晶显示变频器
便携式电池供电产品的电源管理

功耗特性

WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸
2盎司CuRşJA是125ć/ W.
2.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +
RşJA* PD，最大功耗由RşJA决定。
3.RşJA是从结到环境的热阻抗，使用更大的PCB焊盘尺寸可以得到
更小的RşJA并导致更大的最大功耗。

功耗特性
WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸
2盎司CuRşJA是125ć/ W.
2.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +
RşJA* PD，最大功耗由RşJA决定。
3.RşJA是从结到环境的热阻抗，使用更大的PCB焊盘尺寸可以得到
更小的RşJA并导致更大的最大功耗

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特征

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