Nandflash的寄存器配置

Nandflash的寄存器设置

NFCONF

配置寄存器主要是设置命令的锁存周期，根据下面2440的nand的时序，当WE在使能之前，CLE要先使能，等CLE稳定之后WE才能使能，然后等待一段时间才去拉低CLE .这里就有两个稳定的时间，分别是WE命令使能之前与之后，也就是建立时间与保持时间，就跟他们时间名的后缀一样，S->ser, H->hold

至于TACLS等的时间周期大小可以参照K9F2G08U0C(NAND FLASH).pdf芯片手册中时序

对比上面两个图我们可以得出结论

1.从CLE拉高到WE使能的这段时间,意思就是说CLE要使能一段时间，稳定后在WE使能

“TACLS”= tCLS - Twp

2.WE写周期时间:

“TWRPH0” = twp

3.CLE保持时间(WE无效后, CLE需要保持一段时间，使其能好好的锁存，即延长硬件的锁存动作（就是存储一段时间），如果WE上升沿后马上拉高CLE（锁存使能无效）, 很可能数据就不能及时存入nandflash，造成存储丢失, 我们还可以看到命令在I/O总线上也要随着CLE停留而停留一段时间(tDH)

“TWRPH1” = tCLH

找到关系后, 通过nandflash数据手册可以找到这些时间的最小定义(即完成动作的最小时间，比如 tCLS的最小时间)

根据之前的计算，我们要满足TACLS >= 0ns，TWRPHO >= 12ns，TWROH1 >= 5ns，根据寄存器的配置信息，HCLK = 100M = 10ns, TACLS -> Duration = HCLK × TACLS, TWRPH0 -> Duration = HCLK × ( TWRPH0 + 1 ), TWRPH1->Duration = HCLK × ( TWRPH1 + 1 ), 所以三个配置参数为 0,1,0 就能够满足

配置寄存器最终取值：TACLS=0，TWRPH0=1，TWRPH1 = 0

NFCONT

InitECC [4] : 初始化ECC检验

Reg_nCE [1]：用来控制片选 (一般在读写一次的周期，都要进行片选信号的选定，取消选定的操作,目的是为了省电)，初始化默认关闭，读取的时候开启

MODE [0]：用来控制flash是否能工作

控制寄存器默认取值：MODE=1，Reg_nCE=1，InitECC=1

NFCMMD

当要发送读取或者写命令时，直接往NFCMMD寄存器低八位（单字节）里写入命令值，其他位保留

NFADDR

跟NFCMMD寄存器一样，往低八位写入地址值就可以了

NFDATA

NFDATA字节的存储方式主要参考下表，以大端模式来讲解，当传送一个字时，这时候存4个字节的数据, 0x12345678(大端, 内存低字节存高位) ,2440的nandflash是8位的，所以先发送

0x78(1st [31:24]) –> 0x56(2nd [23:16]) –> 0x34(3nd [15:8]) –> 0x12(4th [7:0])。

NFCON

RnB [0] : 读取该位，判断nandflash判断是否处于空闲状态

上面就是所有的寄存器的设置， 当读取nandflash的页数据时，要参照nandflash的读顺序，下面就是读页的流程：发送读命令00后，连续发5个地址，再发读命令30，然后判断是否空闲，最后读取数据

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