NOR和NAND都是flash, 掉电数据不丢失的，掉电数据丢失的叫RAM
flash上分两块，code区域和文件系统区域（又分系统盘和用户盘）。
NVRAM是一套机制，它的数据部分：default存在flash的code区，NARAM文件存在文件系统区域（系统盘）
phone的电话本数据是以NVRAM文件的形式保存在文件系统区域的（系统盘），SIM卡的电话本就在SIM卡上了
T卡是扩展的flash，都是文件系统区

NAND flash、NORflash及普通flash 有什么区别 
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

MTK FLASH 对应64+32是什么意思
手机MCP芯片的型号，主要用于加速处理图像的能力有
64+32、128+32、128+64、 256+64、 1G+256、1G+512系列FLASH，广泛应用于MTK6225、6235平台，主要产地是TOSHIBA日本
多数的手机的存储器是二合一的，即FLASH和SRAM包在同一片芯片里。64+32是指8M byte（64M bit）的NOR FLASH+4M  byte（32M bit）的SRAM，128+32同理。

ROM是只读存储器,断电后能保证数据不会丢失,一般保证比较重要的数据.
RAM是随机存储器,断电后数据会丢失.
ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存，而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写
现在ROM通常指非挥发的存储器，或者说，不掉电。系统停止供电的时候它们仍然可以保持数据。所以光盘也有CD-ROM或者DVD-ROM的说法。而RAM通常都是没电之后就没有数据的，典型的就象计算机的内存，需要系统重新启动的时候从硬盘重新载入数据。有的时候，如果数据可以擦写，也会借用RAM这个概念，譬如DVD-RAM，其实只是可以擦写的DVD光盘而已，并非真正的半导体存储器
 
关于智能手机ROM和RAM的区别
存储器分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种。其中ROM通常用来固化存储一些生产厂家写入的程序或数据，用于启动电脑和控制电脑的工作方式。而RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。
对于手机而言
运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。ROM是静态空间，用来存储东西的，相当于手机的Z盘。RAM和ROM就好比是电脑的内存和硬盘。C盘准确的来讲也不应该叫ROM只读存储器。C盘应该叫FLASH，因为C盘是可擦写的，而FLASH的大小并不影响运行速度。

128 bit M = 16MB 一般划分 14M 的资源区，包含了图片，字符串，NVRAM等。

{

1KB等于1024B，B是英文Byte(比特)的缩写,KB即kilobyte,字面意思就是千比特。
byte是文件大小的一个计量单位，大家都知道在计算机里面，文件都是以二进制方式存储的，这样一个最小的存储单元（譬如10、11、01、00）叫做一个bit(位，位元)，八个位元等于一个比特。
转换关系：
8bit=1b
1024byte=1kb
1024kb=1mb
1024mb=1gb
1024gb=1tb
以上单位k指千、m指百万、g指10亿，t指万亿，大小写均可。
因为1024≈1000，所以1024b,也称为1k，以下类似。

}
还有2M有用到ARM 的启动和部分的内存，运行速度相当快。相当于PC的硬盘
32 sdram bit M = 4MB，一般用来存储动态内存，全局变量什么的，相当于PC的内存。

mtk25平台默认的是128Mbit flash memory 和 32Mbit SRAM，因为1BYTE等于8BIT，所以就是我们通常所说的是16M ROM和4M RAM，不过由于文件系统占用2M，这2M一般又被分为系统盘和用户盘，系统盘存储NV文件和MMS相关文件，对用户不可见，用户盘用户连上电脑就可以看到，但由于一些原因，有不少手机是不设用户盘的，用户盘过大，会导致彩信等一些模块不稳定，所以很多使用NORFALSH时不设用户盘，但NAND FALSH一般都会设置一定的用户盘。如果需要设置，只要修改宏PARTITION_SIZE值就可以控制。所以我们能够使用的就只剩下14，这一点可以从BUILD目录下的scatWINGTECH25_GEMINI.txt文件的声明部分看到，在SCAT文件中，有一行是SCHEME   : external 14MB flash memory and 4MB SRAM，就是说14MROM和4MRAM。

由于用户需求不同，有些时候我们会修改RAM和ROM大小，一般就要相应的修改SCAT文件。在SCAT文件中，我们可以看到行ROM 0x00000000 0x00e00000，就是说可以使用的ROM从0x00000000开始，到0x00e00000结束，共计0x00e00000字节，在下面又可以看到这些ROM被分成四个4M的段使用。在SCAT的行EXTSRAM_LARGEPOOL_NORMAL 0x08000000处我们可以看到RAM的使用情况，地址从0x08000000开始， 到0x08400000 结束，共计0x00400000BYTE,即4MBYTE，如果你是32MROM,8MRAM,就要修改ROM 0x00000000 0x00e00000为
ROM 0x00000000 0x01c00000，修改DUMMY_END 0x08400000 0x04为    DUMMY_END 0x08800000 0x04，这样的修改，现在的ROM和RAM大小都为以前默认的2倍。

其实有时RAM紧张时不一定非要采用增加RAM来实现，这样成本较大，可以采用复用内存也可以节约大量内存。 在SCAT文件中，很多时候,我们可以看到关健字overlay，这是一些手机的应用中为节省内存使用的复合内存，如INTSRAM_MULTIMEDIA 0x40000000  0xC000，声明了MED复用内存的起始地址，只要不冲突，这几乎是最好的解决内存紧张的方法。如果ROM超过了，可能会比较麻烦一些，去掉不必要的图片，音乐，减小图片的质量，去掉一些不必要的功能，把宏函数转为普通函数都可以节约一部分ROM。

如果RAM或者ROM编绎到最后出错，提示ROM超了或者RAM超过了，这时就要精确计算超出部分的大小，然后再根据计算的大小寻找解决办法。计算的方法是打开LIS文件，把RAM或者ROM加起来，减去14或者4，超过的字节数，就是需要调整的内存大小

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      Code    RO Data    RW Data    ZI Data      Debug

6597536    7448732      52056    4266705    3730676   Grand Totals

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Total RO  Size(Code + RO Data)             14046268 (13717.06kB)
    Total RW  Size(RW Data + ZI Data)           4318761 (4217.54kB)
    Total ROM Size(Code + RO Data + RW Data)   14098324 (13767.89kB)

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RAM 大小看起来已经超过４M（4318761）了，怎么编译没有报错，并且使用正常？

内存复用

要了解RO，RW和ZI需要首先了解以下知识：
(1)ARM程序的组成
            此处所说的“ARM程序”是指在ARM系统中正在执行的程序，而非保存在ROM中的bin映像（image）文件，这一点清注意区别。
            一个ARM程序包含3部分：RO，RW和ZI
            RO是程序中的指令和常量
            RW是程序中的已初始化变量
            ZI是程序中的未初始化的变量
            由以上3点说明可以理解为：
            RO就是readonly，
            RW就是read/write，
            ZI就是zero

(2)ARM映像文件的组成
            所谓ARM映像文件就是指烧录到ROM中的bin文件，也成为image文件。以下用Image文件来称呼它。
            Image文件包含了RO和RW数据。
            之所以Image文件不包含ZI数据，是因为ZI数据都是0，没必要包含，只要程序运行之前将ZI数据所在的区域一律清零即可。包含进去反而浪费存储空间。
            Q：为什么Image中必须包含RO和RW？
            A：因为RO中的指令和常量以及RW中初始化过的变量是不能像ZI那样“无中生有”的。
(3)ARM程序的执行过程
            从以上两点可以知道，烧录到ROM中的image文件与实际运行时的ARM程序之间并不是完全一样的。因此就有必要了解ARM程序是如何从ROM中的image到达实际运行状态的。
            实际上，ROM中的指令至少应该有这样的功能：
            1. 将RW从ROM中搬到RAM中，因为RW是变量，变量不能存在ROM中。
            2. 将ZI所在的RAM区域全部清零，因为ZI区域并不在Image中，所以需要程序根据编译器给出的ZI地址及大小来将相应得RAM区域清零。ZI中也是变量，同理：变量不能存在ROM中
            在程序运行的最初阶段，RO中的指令完成了这两项工作后C程序才能正常访问变量。否则只能运行不含变量的代码

同配置而变化的，比如 NVRAM 增加或减少，PB 和 SMS 的最大条数的调整，WAP, JAVA, BT 等配置的调整等都会影响到 Applications 区域的占用空 间。具体可以参考 ckSysDrv.log 文件。 Left Space 是系统区预留的空间，不能太小，比如 10KB 左右就会导致在开机时提示系统空 间不足（倒计时提示） ，有时开始时没有问题，但操作一些功能后再开机又会出现此提示。 针对此情况，MTK 也没有给出具体应该预留多少，建议 60KB~100KB 或更多些。从目前的 版本情况看，超过 30KB 应该可以，但为保险起见，还是建议 60KB 以上。
1.3 实现为不同的项目和客户需求自动配置 Memory
综上，可以看出，配置 Memory 只需修改 custom_MemoryDevice.h 文件中的定义。由于此文 件是由编译前选定的 MCP 复制而来的，而 MCP 是公用的，不是为某一个项目或某一个需 求配置的，所以需要在编译开始之前将复制到目标路径 custom_MemoryDevice.h 进行修改。 custom_MemoryDevice.h 这个文件比较特殊，不能像普通的头文件加入条件编译语句，所以 增加了一个 perl 脚本来完成需要的修改——configMemory.pl。 此脚本的执行要保证在 sysgen 和 emigen 执行之前。 为增加 Memory 配置的灵活性，定义了两组宏分别用于项目配置和用户需求配置： 用于项目配置（proconfig.mak） ：当通用的 MCP 配置无法满足某个项目时定义。 TL_MEMORY_CUSTOM_ROM_CODE_SIZE_PROJECT (代码区大小) TL_MEMORY_CUSTOM_FS_SIZE_PROJECT (文件系统区大小) TL_MEMORY_CUSTOM_USER_SIZE_PROJECT (用户可见区大小) 用于客户需求配置（userxxx.mak） ：当通用的 MCP 配置无法满足某个客户需求时定义。 TL_MEMORY_CUSTOM_ROM_CODE_SIZE_USER (代码区大小) TL_MEMORY_CUSTOM_FS_SIZE_USER (文件系统区大小) TL_MEMORY_CUSTOM_USER_SIZE_USER (用户可见区大小) configMemory.pl 脚本的基本思路如下： 1) 检查是否用户需求中配置了 MCP，如果没有配置则检查项目是否配置了 MCP，如果也 没有配置则不需要修改 memory 配置；否则记录下各区域的大小。此处，为了简化实现， 必须 3 个区域都配置了才有效，且此处省去了配置各区域的校验。
2) 打开 custom_MemoryDevice.h 这个文件，将文件内容读到一个字符串中，然后关闭。 3) 在这个字符串中查找各区域定义的关键字，找到后使用配置的值替换掉。 4) 再次打开 custom_MemoryDevice.h 这个文件，将字符串写回文件中，然后关闭。完成配 置。 如果编译一个版本出现 ROM 空间超出时，可以直接修改 custom_MemoryDevice.h 文件中的 定义进行调整，然后执行 mcpgen.bat 编译验证。 call make TELACOM53_10A_12832 gprs sysgen call make TELACOM53_10A_12832 gprs emiclean call make TELACOM53_10A_12832 gprs emigen call make TELACOM53_10A_12832 gprs c,u custom drv 注意：由于目前 make file 中都设置了 SYSGEN_ENABLE=TRUE，表示 scatter file 每次 new 编译时都会自动生成。 10A 之前的版本， 在 mcpgen.bat 中不需要执行 make sysgen 命令 scatter file 就会自动更新，但是 10A 版本则必须要执行 make sysgen 命令，否则 scatter file 无法根 据 custom_MemoryDevice.h 中修改的配置进行更新。
2. NAND Flash
NAND Flash（MCP 的类型）的 ROM 和 RAM 相比 NOR Flash 都较大，一般情况不需要过 多的考虑 ROM 空间问题，但在某些情况 RAM 是需要重点注意的，当 RAM 空间紧张的时 候要可以通过优化代码和调整 scatter file 来节省 RAM。 以下是 NAND Flash 和 RAM 分配的简要说明（可能不完全准确） ：
XXX_BOOTLOADER_XXX.bin
Bootloader
EXT_BOOTLOADER ROM SECONDARY_ROM Static Total RW Size (RW+ZI)
Code
DEMAND_PAGING_ROM0 Dynamic Code Loading
FS FS
Demand Page Pool (800KB)
Left Space
RAM
NAND Flash (ROM)
User Space
FS Overhead Used by applications
Left Space
FS
内存配置在 custom_MemoryDevice.h 文件中：
#define NAND_BOOTING_NAND_FS_BASE_ADDRESS 0x02800000 #define NAND_BOOTING_NAND_FS_SIZE 0x05800000 #define NAND_BOOTING_NAND_FS_FIRST_DRIVE_SECTORS 128000 含义与 NOR Flash 相同，其中 NAND_BOOTING_NAND_FS_BASE_ADDRESS 是配置 code 区域的大小； NAND_BOOTING_NAND_FS_SIZE 是配置文件系统区域的大小； NAND_BOOTING_NAND_FS_FIRST_DRIVE_SECTORS 是配置用户可见区域的大小， 此配 置 ...