实验三Virtuoso版图设计

实验三 Virtuoso设计

一、实验目的

1、熟练掌握Virtuoso工具；

2、利用Virtuoso工具进行倒相器的版图设计

二、实验步骤

1、在终端提示符下，键入icfb&，启动Cadence软件。

2、在弹出的library manager窗口中建立一个新的库，如图3-1和3-2所示。

图3-1 Library Manager中新建库文件

图3-2 Library Manager中新建库文件输入完库文件名之后，在Technology Library中选择Attach to existing tech library，在弹出的库连接中选择AMI 0.6 C5N(3M，2P)工艺库。

3、在library manager窗口中先选择刚才新建立的库，再在菜单文件选项中选择新建Cell View，如图3-3所示。

图3-3 Library Manager中新建Cell View文件在图3-4 新建Cell View打开的窗口中输入Cell Name，并选择Tool为Virtuoso。

图3-4 新建Cell View打开窗口中输入Cell Name4、点击OK之后，弹出Virtuoso窗口，如图3-5。如果弹出的Virtuoso窗口左面没有LSW菜单，把Virtuoso窗口关闭，从新回到Library Manager窗口中，如图3-6所示，选择自己所建的库，再在右面的Cell中选中刚才所建的Cell，View选中Layout，在Layout上点击右键选择Attach to existing tech library，在弹出的库连接中选择第二个工艺库再双击View中的Layout，打开Virtuoso窗口。

图3-5 Virtuoso editing窗口

图3-6 Library Manager窗口版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menumenu banner、status banner。

Icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。

menu banner(菜单栏),包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令列举如下：

Zoom In -------放大 Zoom out by 2------- 缩小2倍Save -------保存编辑Delete ------- 删除编辑Undo -------取消编辑Redo -------恢复编辑 Move -------移动Stretch ------- 伸缩Rectangle -------编辑矩形图形Polygon ------- 编辑多边形图形Path ------- 编辑布线路径Copy -------复制编辑 status banner(状态显示栏)，位于menu banner的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。

在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口(Layer and Selection WindowLSW)。

LSW视图的功能：

(1)可选择所编辑图形所在的层；

(2)可选择哪些层可供编辑；

(3)可选择哪些层可以看到。

以下对绘制我们这个版图所需的最少版图层次做简单介绍。

层次名称说明NwellN阱Active有源区PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Cc引线孔，连接金属与多晶硅/有源区Metal1第一层金属，用于水平布线，如电源和地Via通孔，连接metal1和metal2Metal2第二层金属，用于垂直布线Text标签Poly多晶硅，做mos的栅5、画pmos的版图

(1)画出有源区

在LSW中，点击active(dg)，注意这时LSW顶部显示active字样，说明active层为当前所选层次。然后点击icon menu中的rectangle icon，在vituoso editing窗口中画一个宽为3.6u，长为6u的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击ruler即可得到清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击delete icon。

(2)画栅

在LSW中，点击poly(dg)，画矩形。与有源区的位置关系如下图3-7：

图3-7 画出有源区和栅(3)画整个pmos

为了表明我们画的是pmos管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层，这一层将覆盖整个有源区0.